苏州苏纳光电有限公司
企业简介

苏州苏纳光电有限公司 main business:光电材料、光电子器件、光电设备、光电仪器、信息技术产品的研发、生产、销售并从事上述领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;光电设备租赁;企业管理咨询;市场调研;从事上述商品及技术的出口业务和机械设备及零配件的进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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苏州苏纳光电有限公司的工商信息
  • 320594000362921
  • 91320594092492574C
  • 在业
  • 有限责任公司
  • 2014年11月18日
  • 蒋宏霞
  • 250万元人民币
  • 2014年11月18日 至 永久
  • 苏州工业园区市场监督管理局
  • 2016年10月28日
  • 苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元
  • 光电材料、光电子器件、光电设备、光电仪器、信息技术产品的研发、生产、销售并从事上述领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;光电设备租赁;企业管理咨询;市场调研;从事上述商品及技术的出口业务和机械设备及零配件的进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
苏州苏纳光电有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 苏州苏纳光电有限公司 http://www.11467.com/suzhou/co/386610.htm
网店 苏州苏纳光电有限公司 http://work.1688.com/?spm=0.0.0.0.R5brPz#nav/home
苏州苏纳光电有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN104576811B 近中红外波双色探测器及其制备方法 2016.08.31 本发明公开了一种近中红外波双色探测器及其制备方法。该探测器包括:探测波长为0.7‑1.6微米的近红外
2 CN106505116A 单行载流子探测器及其制作方法 2017.03.15 本申请公开了一种单行载流子探测器及其制作方法,包括:I、利用分子束外延(MBE)设备在SI‑InP衬
3 CN104617166B 基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法 2017.03.01 本发明公开了一种基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法。该红外探测器包括直接生长在Si衬底
4 CN106449855A 单行载流子光电探测器及其制作方法 2017.02.22 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法,该探测器包括衬底、外延层和电极,所述外延层包括吸收
5 CN106409969A UTC型InGaAs光电探测器及其制作方法 2017.02.15 本申请公开了一种UTC型InGaAs光电探测器及其制作方法,该方法包括:s1、在衬底上生长外延层;s
6 CN106384755A InP基量子阱远红外探测器及其制作方法 2017.02.08 本申请公开了一种InP基量子阱远红外探测器及其制作方法,该探测器包括InP衬底、外延层和电极,所述外
7 CN104617184B PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法 2017.01.11 本发明公开了一种PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法。该方法包括:I、在N‑InP衬底上生
8 CN104538481B InGaAs/QWIP双色红外探测器及其制备方法 2016.10.05 本发明公开了一种InGaAs/QWIP双色红外探测器,其包括PIN‑InGaAs红外探测器单元和Ga
9 CN104617166A 基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法 2015.05.13 本发明公开了一种基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法。该红外探测器包括直接生长在Si衬底
10 CN104617184A PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法 2015.05.13 本发明公开了一种PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法。该方法包括:I、在N-InP衬底上生
11 CN104617181A 基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法 2015.05.13 本发明公开了一种基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法。该探测器包括依次形成于
12 CN104576811A 近中红外波双色探测器及其制备方法 2015.04.29 本发明公开了一种近中红外波双色探测器及其制备方法。该探测器包括:探测波长为0.7-1.6微米的近红外
13 CN104538481A InGaAs/QWIP双色红外探测器及其制备方法 2015.04.22 本发明公开了一种InGaAs/QWIP双色红外探测器,其包括PIN-InGaAs红外探测器单元和Ga
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