苏州苏纳光电有限公司 main business:光电材料、光电子器件、光电设备、光电仪器、信息技术产品的研发、生产、销售并从事上述领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;光电设备租赁;企业管理咨询;市场调研;从事上述商品及技术的出口业务和机械设备及零配件的进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320594000362921
- 91320594092492574C
- 在业
- 有限责任公司
- 2014年11月18日
- 蒋宏霞
- 250万元人民币
- 2014年11月18日 至 永久
- 苏州工业园区市场监督管理局
- 2016年10月28日
- 苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元
- 光电材料、光电子器件、光电设备、光电仪器、信息技术产品的研发、生产、销售并从事上述领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;光电设备租赁;企业管理咨询;市场调研;从事上述商品及技术的出口业务和机械设备及零配件的进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 苏州苏纳光电有限公司 | http://www.11467.com/suzhou/co/386610.htm |
网店 | 苏州苏纳光电有限公司 | http://work.1688.com/?spm=0.0.0.0.R5brPz#nav/home |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN104576811B | 近中红外波双色探测器及其制备方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种近中红外波双色探测器及其制备方法。该探测器包括:探测波长为0.7‑1.6微米的近红外 |
2 | CN106505116A | 单行载流子探测器及其制作方法 | 2017.03.15 | 本申请公开了一种单行载流子探测器及其制作方法,包括:I、利用分子束外延(MBE)设备在SI‑InP衬 |
3 | CN104617166B | 基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法。该红外探测器包括直接生长在Si衬底 |
4 | CN106449855A | 单行载流子光电探测器及其制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法,该探测器包括衬底、外延层和电极,所述外延层包括吸收 |
5 | CN106409969A | UTC型InGaAs光电探测器及其制作方法 | 2017.02.15 | 本申请公开了一种UTC型InGaAs光电探测器及其制作方法,该方法包括:s1、在衬底上生长外延层;s |
6 | CN106384755A | InP基量子阱远红外探测器及其制作方法 | 2017.02.08 | 本申请公开了一种InP基量子阱远红外探测器及其制作方法,该探测器包括InP衬底、外延层和电极,所述外 |
7 | CN104617184B | PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法。该方法包括:I、在N‑InP衬底上生 |
8 | CN104538481B | InGaAs/QWIP双色红外探测器及其制备方法 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种InGaAs/QWIP双色红外探测器,其包括PIN‑InGaAs红外探测器单元和Ga |
9 | CN104617166A | 基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法。该红外探测器包括直接生长在Si衬底 |
10 | CN104617184A | PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法。该方法包括:I、在N-InP衬底上生 |
11 | CN104617181A | 基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法。该探测器包括依次形成于 |
12 | CN104576811A | 近中红外波双色探测器及其制备方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种近中红外波双色探测器及其制备方法。该探测器包括:探测波长为0.7-1.6微米的近红外 |
13 | CN104538481A | InGaAs/QWIP双色红外探测器及其制备方法 | 2015.04.22 | 本发明公开了一种InGaAs/QWIP双色红外探测器,其包括PIN-InGaAs红外探测器单元和Ga |